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IC China2019丨苏州纳维科技有限公司董事长徐科:全氮化镓器件将是明确发展方向

2019-09-29 点击:1279 来源:教育资讯

中国电子报4天前我想分享编者按:几天前,第二届全球IC企业家大会在上海举行。化合物半导体产业趋势论坛是六个分论坛之一,同时举行。该论坛由CCID集成电路研究所,中国宽带功率半导体和应用产业联盟主办。主题是《迎接化合物半导体的产业化浪潮》,会议专家介绍了化合物半导体。讨论了材料,芯片和设备的发展现状和未来趋势。

苏州纳威科技有限公司董事长徐克:

在2005年,甚至更早,没有用于碳化硅的商业化单晶碳化硅衬底,所有这些都在硅上生长。今天的氮化镓外延生长在碳化硅或硅上,因此从半导体材料的角度来看。看,材料的质量非常关键。

氮化镓的发展始于蓝色LED的发展。蓝光LED主要外延在蓝宝石上,目前是主流技术。随着技术的发展,基于GaN的外延技术已经开发出功率器件,尤其是硅上的氮化镓。未来该技术的最大空间是电压低于600V的功率器件。 RF器件主要由碳化硅基GaN制成。主要是因为散热,基站射频设备的70%的能量是热量,30%是微波发射,碳化硅加热更好,所以它是首选。

从长期发展的角度来看,基于高质量的GaN单晶材料,全GaN器件是一个明确的发展方向,但它的发展速度有多快,需要业界验证。其中之一是继续开发半导体照明和光电子,并继续开发半导体照明和LED技术。特别是对于激光器,必须使用氮化镓单晶材料。由于激光器的功率密度很高,因此揭示了材料质量的重要性。它是。未来,电力电子和微波也是所有GaN器件的发展方向。

用于生长氮化镓单晶材料的最成熟方法是HVPE方法。首先,材料应该做得很厚,或者质量很好,最重要的是控制应力。其次,需要控制导电性。有两种方式:一种是掺杂Ge,另一种是掺杂Si。目前该行业倾向于对Ge进行遏制。最后,材料需要进行表面抛光,以获得更完美的表面质量。

氮化镓单晶材料非常重要,并且可以通过2英寸,4英寸和6英寸技术生产,但是工业的真正发展需要与设备的用户一起促进。

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编者注:最近,第二届全球IC企业家大会在上海举行。化合物半导体产业趋势论坛是六个分论坛之一,同时举行。该论坛由CCID集成电路研究所,中国宽带功率半导体和应用产业联盟主办。主题是《迎接化合物半导体的产业化浪潮》,会议专家介绍了化合物半导体。讨论了材料,芯片和设备的发展现状和未来趋势。

苏州纳威科技有限公司董事长徐克:

在2005年,甚至更早,没有用于碳化硅的商业化单晶碳化硅衬底,所有这些都在硅上生长。今天的氮化镓外延生长在碳化硅或硅上,因此从半导体材料的角度来看。看,材料的质量非常关键。

氮化镓的发展始于蓝色LED的发展。蓝光LED主要外延在蓝宝石上,目前是主流技术。随着技术的发展,基于GaN的外延技术已经开发出功率器件,尤其是硅上的氮化镓。未来该技术的最大空间是电压低于600V的功率器件。 RF器件主要由碳化硅基GaN制成。主要是因为散热,基站射频设备的70%的能量是热量,30%是微波发射,碳化硅加热更好,所以它是首选。

从长期发展的角度来看,基于高质量的GaN单晶材料,全GaN器件是一个明确的发展方向,但它的发展速度有多快,需要业界验证。其中之一是继续开发半导体照明和光电子,并继续开发半导体照明和LED技术。特别是对于激光器,必须使用氮化镓单晶材料。由于激光器的功率密度很高,因此揭示了材料质量的重要性。它是。未来,电力电子和微波也是所有GaN器件的发展方向。

用于生长氮化镓单晶材料的最成熟方法是HVPE方法。首先,材料应该做得很厚,或者质量很好,最重要的是控制应力。其次,需要控制导电性。有两种方式:一种是掺杂Ge,另一种是掺杂Si。目前该行业倾向于对Ge进行遏制。最后,材料需要进行表面抛光,以获得更完美的表面质量。

氮化镓单晶材料非常重要,并且可以通过2英寸,4英寸和6英寸技术生产,但是工业的真正发展需要与设备的用户一起促进。

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